应变半导体基板及其制法

摘要

一种利用应变矽(SMOS)基板(20)之积体电路制造方法。该基板(20)利用于基层中之沟槽(36)以诱发层中之应力。该基板可包括矽。该沟槽(36)于主要基板之后侧或绝缘层上覆半导体(semiconductor–on–insulator)晶圆上形成有复数个柱状体(35)。