| 摘要 |
本发明提供一种快闪记忆体的源极线之制造方法，包括下列步骤：提供一基底，且于该基底上依序形成有一第一绝缘层、一第一导电层与一第二绝缘层；图案化上述第二绝缘层，以在该第二绝缘层中形成一第一开口并露出部分上述第一导电层；形成一第三绝缘层于上述第一开口侧壁，以形成一第二开口；依序蚀刻上述第二开口下方之第一导电层与第一绝缘层，以露出部分上述基底表面；形成一间隙壁于上述第二开口侧壁；形成一源极区于上述露出表面的基底中，沉积一第二导电层于上述第三绝缘层上与上述第二开口中；蚀刻去除上述第二绝缘层上的第二导电层，留下上述第二开口中之第二导电层作为源极线，且其具有一凹入之上表面；沉积一遮蔽层于上述第二绝缘层与上述源极线上；以及平坦化上述遮蔽层至露出该第二绝缘层，留下该源极线上凹入处之遮蔽层。 |
