| 主权项 |
1.一种深沟渠式电容器的制造方法,包括:利用位于一基底上之一图案化之罩幕层进行一图案化制程,以于该基底中形成多数个深沟渠;于各该些深沟渠底部之该基底中形成一下电极;于各该些深沟渠底部依序形成一电容介电层与一第一导电层;于被该第一导电层所暴露之各该些深沟渠侧壁上形成一领氧化层;于各该些深沟渠中填入一第二导电层,该第二导电层系至少填满各该些深沟渠;移除位于相邻二该些深沟渠之间的该图案化之罩幕层与部分该基底,并且移除该二深沟渠中之部分该第二导电层与该领氧化层,以形成一第一开口,其中该第一开口系形成于预定在相邻二该些深沟渠之间形成一隔离结构的区域,且该第一开口的深度系大于预定形成之该隔离结构的深度;以及于该第一开口中填入一隔离层。2.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该第一开口的形成方法包括:于该图案化之罩幕层与部分该第二导电层上形成一图案化之光阻层,该图案化之光阻层系暴露出预定形成该第一开口之区域;进行一蚀刻制程,以移除部分该第二导电层与部分该基底;移除该光阻层;以及移除未被该第二导电层覆盖之该领氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中移除未被该第二导电层覆盖之该领氧化层的方法包括使用缓冲氢氟酸。4.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该第一开口的底部系位于从该基底表面而下约3500埃至4000埃处。5.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该隔离层的材质包括氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该隔离层的形成方法包括:于该第一开口中填入一绝缘材料层;以及移除该第一开口以外之该绝缘材料层。7.如申请专利范围第6项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该绝缘材料层的形成方法包括进行一高密度电浆化学气相沈积制程或一半压化学气相沈积制程。8.如申请专利范围第6项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中移除该第一开口以外之该绝缘材料层的方法包括进行一化学机械研磨制程或是一回蚀刻制程。9.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,更包括:移除该隔离层周围之部分该第二导电层与该领氧化层,以形成对应之一第二开口;以及于该第二开口中填入一第三导电层。10.如申请专利范围第9项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中该第二开口的深度系小于该第一开口的深度。11.如申请专利范围第9项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中在形成该第二开口之后以及在填入该第三导电层之前,更包括移除部分该隔离层,以扩大该第二开口的宽度。12.如申请专利范围第11项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中移除部分该隔离层的方法包括使用缓冲氢氟酸。13.如申请专利范围第9项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中在形成该第二开口之后以及在填入该第三导电层之前,更包括于该第二开口侧壁所裸露之该基底上形成一介电层。14.如申请专利范围第9项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中在填入该第三导电层之后,更包括于部分该隔离层、该第三导电层与该第二导电层中形成一隔离结构。15.如申请专利范围第14项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中在形成该隔离结构时,更包括于邻接该第三导电层之该基底中形成一埋入式掺杂带。16.如申请专利范围第1项所述之深沟渠式电容器的制造方法,其中在进行该图案化制程以形成该些深沟渠时,系移除位于相邻二该些深沟渠之间的该图案化之罩幕层与部分该基底。17.一种深沟渠式电容器,配置于一基底之一深沟渠中,该深沟渠式电容器包括:一下电极,配置在该深沟渠底部之该基底中;一第一导电层,配置在该深沟渠中;一电容介电层,配置在该深沟渠表面与该第一导电层之间;一第二导电层,配置在该深沟渠中,且位于该第一导电层上;一领氧化层,配置在该深沟渠表面与该第二导电层之间;一第三导电层一配置在该深沟渠中,且位于该第二导电层上;一隔离结构,配置在部分该第三导电层与该第二导电层中,并且位于部分的该基底中;以及一隔离层,配置在该隔离结构下方,且位于部分该第二导电层与该基底中。18.如申请专利范围第17项所述之深沟渠式电容器,更包括一介电层,配置在该深沟渠之一侧壁与该第三导电层之间。19.如申请专利范围第17项所述之深沟渠式电容器,其中该隔离层的底部系位于从该基底表面而下约3500埃至4000埃处。20.如申请专利范围第17项所述之深沟渠式电容器,其中该隔离层的材质包括氧化矽。图式简单说明:图1所绘示为习知动态随机存取记忆体之布局上视示意图。图2A至图2D所绘示为图1沿I-I'方向之深沟渠式电容器的制造流程剖面示意图。图2E所绘示为习知动态随机存取记忆体之元件制作的剖面示意图。图3所绘示为本发明之较佳实施例的深沟渠式电容器之布局上视示意图。图4A至图4J所绘示为图3沿II-II'方向之深沟渠式电容器的制造流程剖面示意图。图4K所绘示为本发明之动态随机存取记忆体之元件制作的剖面示意图。 |
