单一电晶体随机存取记忆胞及其制造方法

摘要

单一电晶体随机存取记忆胞，其包括MOS井、传输闸以及具有储存节点之储存电容，其包含临界电压近于零之MOS原生元件以形成反转层。当该传输闸开启时，该反转层扩散至位于该传输闸下方之反转区域。在高速运作时，在该传输闸下方的掺杂区域于近于零的临界电压成为反转层。