形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法以及多层半导体装置

摘要

本发明揭示一种形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基板，包括具有含铜金属内连线之介电绝缘层，其中介电绝缘层以及含铜金属内连线具有一露出之表面；形成第一覆盖层于该露出之表面上；于第一覆盖层上进行处理以增加覆盖层以及介电绝缘层之层间附着力。以及，形成第二覆盖层于第一覆盖层上。