| 主权项 |
1.一种半导体晶片封装构造,包含:一基板;一半导体晶片,系电连接于该基板上;及一散热片,系设于该半导体晶片上,其一面系镀有一金属层,该金属层系与该半导体晶片接合。2.如申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其中该金属层系与该半导体晶片共晶接合。3.如申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其中该半导体晶片系以覆晶型态与该基板电连接。4.如申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,更包含:一填充体,其系填充于该基板与该半导体晶片之间。5.如申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,更包含:复数个凸块,其系置于该基板与该半导体晶片电连接之一面的相对面上。6.如申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其中该金属层系由金所构成。7.如申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其中该金属层系由铝所构成。8.一种半导体晶片封装构造,包含:一基板;一半导体晶片,系电连接于该基板上,且其与基板相接合之一面的相对面上系形成有一金属层;及一散热片,系设于该半导体晶片上,其一面与该半导体晶片之金属层接合。9.如申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造,其中该散热片系与该半导体晶片之金属层融合接合。10.如申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造,其中该半导体晶片系以覆晶型态与该基板电连接。11.如申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造,更包含:一填充体,其系填充于该基板与该半导体晶片之间。12.如申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造,更包含:复数个凸块,其系置于该基板与该半导体晶片电连接之一面的相对面上。13.如申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造,其中该金属层系由金所构成。14.如申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造,其中该金属层系由铝所构成。15.一种半导体晶片封装构造之制造方法,包含:提供一基板;将一半导体晶片电连接于该基板上;及将一散热片之一面镀上一金属层,并使其与该散热片之金属层接合。16.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系与该半导体晶片共晶接合。17.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该半导体晶片系以覆晶型态与该基板电连接。18.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,更包含:将一填充体填充于该半导体晶片与该基板之间。19.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,更包含:将复数个凸块置于该基板与该半导体晶片电连接之一面的相对面上。20.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系由金所构成。21.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系由铝所构成。22.申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系以溅镀法所形成。23.如申请专利范围第15项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系以表面沉积法所形成。24.一种半导体晶片封装构造之制造方法,包含:提供一基板;提供一形成有一金属层之半导体晶片,并将该半导体晶片电连接于该基板上,以使其金属层位于其上方;及将一散热片置于该半导体晶片之金属层上,并使其与该金属层接合。25.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该散热片系与该半导体晶片之金属层融合接合。26.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该半导体晶片系以覆晶型态与该基板电连接。27.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,更包含:将一填充体填充于该半导体晶片与该基板之间。28.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,更包含:将复数个凸块置于该基板与该半导体晶片电连接之一面的相对面上。29.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系由金所构成。30.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系由铝所构成。31.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系以溅镀法所形成。32.如申请专利范围第24项之半导体晶片封装构造之制造方法,其中该金属层系以表面沉积法所形成。图式简单说明:图1为一示意图,显示习知HFC-BGA型之半导体晶片封装构造。图2为一示意图,显示习知具散热片之半导体晶片封装构造。图3为一示意图,显示本发明较佳实施例之半导体晶片封装构造。图4为一流程图,显示本发明较佳实施例半导体晶片封装构造之制造方法的流程。 |
