| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括一第一铜内连线包括添加 金属原子与添加的矽原子,其中该添加金属原子的 密度在该第一铜内连线的底表面与侧表面附近高 于该第一铜内连线的上表面附近,以及其中该添加 的矽原子的密度在该第一铜内连线的上表面附近 高于该第一铜内连线的底表面与侧表面附近。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中该 添加金属原子包括一或一以上之金属,且该金属系 择自铝、锡、钛、矽、铟、银、锆、镍、镁、铍 、钯、钴、硼、锌、钙、金与镓所组成之族群。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,尚包括 一第二铜内连线于该第一铜内连线上,且该第二铜 内连线包括添加金属原子与添加的矽原子,其中于 该第二铜内连线中添加金属原子的密度高于在第 一铜内连线的底表面与侧表面附近且高于该第二 铜内连线的上表面附近,以及其中该添加的矽原子 的密度在该第二铜内连线的上表面附近高于该第 二铜内连线的底表面与侧表面附近。 4.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该 第二内连线中添加金属原子包括一或一以上之金 属,且该金属系择自铝、锡、钛、矽、铟、银、锆 、镍、镁、铍、钯、钴、硼、锌、钙、金与镓所 组成之族群。 5.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该 第二铜内连线包括一铜内连线与一介层洞插塞由 上述铜内连线延伸且与该第一铜内连线接触。 6.如申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中该 第一铜内连线与该第二铜内连线经由一具有一阻 隔金属膜的铜插塞连接在一起。 7.一种半导体装置的制造方法,包括: 形成一铜膜于于一具有铜与一添加金属的晶种膜 上; 将上述晶种膜中的上述添加金属扩散至上述铜膜 中; 将矽原子经由上述铜膜的上表面扩散至上述铜膜 中。 8.如申请专利范围第7项所述之半导体装置的制造 方法,其中该矽原子扩散步骤包括将矽烷扩散至该 铜膜里。 9.如申请专利范围第8项所述之半导体装置的制造 方法,其中该扩散步骤是在铜膜形成铜内连线后执 行。 10.如申请专利范围第7项所述之半导体装置的制造 方法,其中该晶种膜所包括的添加金属的浓度为0.1 ~1.5 wt%。 11.如申请专利范围第7项所述之半导体装置的制造 方法,其中该晶种膜包括以铝作为该添加金属的浓 度小于1wt%且不小于0.1wt%。 图式简单说明: 第1A~1I图为本发明实施例1中之半导体装置的剖面 图,用以说明其连续制程步骤。 第2A~2I图为本发明实施例2中之半导体装置的剖面 图,用以说明其连续制程步骤。 |
