发明名称 | 利用推挽式控制晶片驱动双N-MOS之半桥式换流电路 | ||
摘要 | 一种利用推挽式控制晶片驱动双N–MOS之半桥式换流电路,系可连接一驱动电路于知半桥式换流电路,即可使用推挽式控制晶片进行控制半桥式换流电路,包括有:一推挽式控制晶片,系设有二输出端;一驱动电路,设有二输入端及二输出端,该二输入端连接于该推挽式控制晶片之二输出端,系接受该推挽式控制晶片之控制;及一半桥式开关组件,系由一第二N通道场效电晶体与一第二N通道场效电晶体组成,每一N通道场效电晶体皆设有一控制端,该控制端连接于该驱动电路之二输出端,藉由该驱动电路之驱动,用以将该直流电源切换为该交流电源,并传送至该变压器之一次侧端。 | ||
申请公布号 | TW200603527 | 申请公布日期 | 2006.01.16 |
申请号 | TW093120920 | 申请日期 | 2004.07.13 |
申请人 | 联昌电子企业股份有限公司 | 发明人 | 陈振刚;王政雄 |
分类号 | H02M7/537 | 主分类号 | H02M7/537 |
代理机构 | 代理人 | 谢宗颖;王云平 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县新庄市新树路224号 |