| 主权项 |
1.一种半导体储存装置,包括: 一记忆体单元阵列,其储存外部输入正常资料; 一检查资料产生电路,其产生对应该正常资料之检 查资料; 一检查储存区段,其储存该检查资料; 一徵状产生电路,根据该检查资料侦测在读取资料 中之位元错误且产生对应至该等位元错误之一徵 状讯号,该读取资料系藉由读取在该记忆体单元阵 列中储存之正常资料而获得;以及 一徵状讯号处理电路,其根据该徵状讯号订正在该 读取资料中之该等位元错误以及产生代表该位元 错误已经发生之该记忆体单元阵列中记忆体单元 之位置之一内部错误位址讯号。 2.如请求项1之半导体储存装置,其中该徵状讯号处 理电路进一步包括一电路,其根据该徵状讯号产生 指示在该读取资料中是否有任何错误之一内部错 误讯号。 3.如请求项2之半导体储存装置,进一步包括一第一 输入区段,其可使一指示监控可能错误而将被启动 之错误监控讯号输入,以及 其中假如该错误监控讯号输入至该输入区段时,该 徵状讯号处理电路产生该内部错误位址讯号和该 内部错误讯号。 4.如请求项2之半导体储存装置,进一步包括一第一 输出区段,其可外部地输出由订正在该读取资料中 之错误位元所获得之订正资料; 一第二输出区段,其可外部地输出该内部错误位址 讯号;以及 一第三输出区段,其可外部地输出该内部错误讯号 。 5.如请求项1之半导体储存装置,其中该检查资料包 括汉明码。 6.一种半导体储存装置,包括: 一记忆体巨集,其具有一记忆体单元阵列以及一错 误订正电路; 一输入资料产生电路,其产生要被写入在该记忆体 巨集中之输入资料; 一错误讯号产生电路,其可将从该记忆体巨集读取 之输出资料与由该输入资料产生电路所产生之输 入资料加以比较,以根据该输出资料和该输入资料 之比较结果产生指示在该输出资料是否有任何错 误之一错误讯号;以及 一内部错误位址暂存器,其可暂时地储存由该记忆 体巨集所输出且代表在读取资料中已经发生之位 元错误之该记忆体单元阵列中记忆体单元之错误 位址之内部错误位址讯号,该读取资料藉由读取储 存在该记忆体单元阵列之该输入资料而获得。 7.如请求项6之半导体储存装置,进一步包括一内部 讯号暂存器,暂时地储存由该记忆体巨集所输出和 指示在该读取资料中是否有任何错误之一内部错 误讯号。 8.如请求项7之半导体储存装置,进一步包括一错误 监控讯号产生电路,其产生指示可能错误之监控将 被启动之一错误监控讯号,以及 其中假如该错误监控讯号输入时,该记忆体巨集输 出该内部错误位址讯号和该内部错误讯号。 9.如请求项7之半导体储存装置,进一步包括一位址 产生电路,产生使用于指定该输入资料储存之记忆 体巨集中之位置之一位址。 10.如请求项9之半导体储存装置,进一步包括一错 误讯号暂存器,其可暂时地储存该错误讯号;以及 一位址暂存器,暂时地储存该位址。 11.如请求项10之半导体储存装置,进一步包括一输 出区段,其可外部地序列输出该位址、该错误讯号 、该错误位址讯号以及该内部错误讯号。 12.一种用于具有一半导体单元阵列和一错误订正 电路之半导体储存装置之评估方法,该方法包括: 产生一位址,其用于指定输入资料储存之该半导体 储存装置中之位置; 暂时地储存该位址; 输入该暂时储存位址至该半导体储存装置; 产生要被写入至该半导体储存装置中之该输入资 料; 在该半导体储存装置中写入该资料; 从该半导体储存装置读取该输入资料; 将从该半导体储存装置所读取之该输出资料与该 产生之输入资料加以比较,以根据该输出资料和该 输入资料之比较结果产生指示在该输出资料中是 否有任何错误之一错误讯号; 暂时地储存该错误讯号;以及 暂时地储存由该半导体储存装置所输出且代表在 读取资料中已经发生之位元错误之该记忆体单元 阵列中记忆体单元之错误位址之内部错误位址讯 号,该读取资料藉由读取储存在该记忆体单元阵列 之该输入资料而获得。 13.如请求项12之半导体储存装置之评估方法,进一 步包括在暂时地储存该错误位址讯号之后,暂时地 储存由该半导体储存装置输出且指示在由读取储 存在该记忆体单元阵列中之资料而获得之读取资 料中是否有任何错误之一内部错误讯号。 14.如请求项13之半导体储存装置之评估方法,进一 步包括在暂时地储存该内部错误讯号之后,序列地 输出该位址、该错误讯号、该内部错误位址讯号 以及该内部错误讯号。 图式简单说明: 图1系为根据本发明之一第一具体实施例一半导体 储存装置之一电路方块图; 图2系为代表显示在图1之该半导体储存装置之评 估方法之流程图; 图3系为根据本发明之一第二具体实施例,一半导 体储存装置200之方块图; 图4系为代表一BIST电路20在一记忆体巨集21中写入 资料之方法之一流程图;以及 图5系为代表该BIST电路20从该记忆体巨集21读取资 料之方法之一流程图。 |
