| 主权项 |
1.一种半导体元件的制造方法,包括: 在一基底上形成一沟渠,其中该沟渠表面形成有一 第一原生氧化层; 在含有氮气的环境中,进行一第一热处理制程,以 去除该第一原生氧化层;以及 形成一导体层以填满该沟渠。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,更包括于形成该导体层之前,于该沟渠中形 成一缓冲层,且该缓冲层上形成有一第二原生氧化 层。 3.如申请专利范围第2项所述之半导体元件的制造 方法,更包括在含有氮气的环境中,进行一第二热 处理制程,以去除该第二原生氧化层。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该第一热处理制程与该第二热处理制程 包括快速热回火制程。 5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该第一热处理制程与该第二热处理制程 的加热温度系在700~1000℃。 6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该第一热处理制程与该第二热处理制程 的加热时间系在30~90秒。 7.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该导体层的材质包括掺杂多晶矽。 8.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该导体层的形成方法包括化学气相沈积 法。 9.如申请专利范围第1项所述之半导体元件的制造 方法,其中该缓冲层的材质包括非掺杂多晶矽。 10.一种半导体元件的制造方法,包括: 提供一基底,该基底中已形成有一沟渠,该沟渠中 已形成有一沟渠式元件,该沟渠式元件包括设置于 该沟渠侧壁之二闸极结构、设置于该二闸极结构 之间的该基底中的一掺杂区以及设置于该两闸极 结构表面之一间间介电层,其中该掺杂区表面形成 有一第一原生氧化层; 在含有氮气的环境中,进行一第一热处理制程,以 去除该第一原生氧化层;以及 形成一导体层以填满该沟渠。 11.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,更包括于形成该导体层之前,于该沟渠中 形成一缓冲层,且该缓冲层上形成有一第二原生氧 化层。 12.如申请专利范围第11项所述之半导体元件的制 造方法,更包括在含有氮气的环境中,进行一第二 热处理制程,以去除该第二原生氧化层。 13.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该第一热处理制程与该第二热处理制 程包括快速热回火制程。 14.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该第一热处理制程与该第二热处理制 程的加热温度系在700~1000℃。 15.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该第一热处理制程与该第二热处理制 程的加热时间系在30~90秒。 16.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该导体层的材质包括掺杂多晶矽。 17.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该导体层的形成方法包括化学气相沈 积法。 18.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该缓冲层的材质包括非掺杂多晶矽。 19.如申请专利范围第10项所述之半导体元件的制 造方法,其中该两闸极结构各自包括: 一闸极,设置于该沟渠侧壁;以及 一穿隧氧化层,设置于该闸极与该基底之间。 20.如申请专利范围第19项所述之半导体元件的制 造方法,其中该闸极系为浮置闸极,该掺杂区系为 一源极区,该导体层系为一源极线。 图式简单说明: 图1A至图1D所绘示为本发明之一实施例之半导体元 件的制造方法的流程剖面图。 图2A至图2E所绘示为本发明之另一实施例的半导体 元件的制造方法的流程剖面图。 |
