低温多晶矽薄膜电晶体及其浅掺杂汲极区的制作方法

摘要

一种低温多晶矽薄膜电晶体之浅掺杂汲极区的制作方法。首先，于一基板上形成一多晶矽层。接着，于多晶矽层上形成一闸绝缘层。然后，于闸绝缘层上形成一闸缓冲层与一闸极，其中闸极系位于闸缓冲层上，并暴露出部分之闸缓冲层。之后，进行一掺杂制程，以于多晶矽层中形成一浅掺杂汲极区，其中浅掺杂汲极区系对应位于闸极所暴露之部分闸缓冲层的下方。此低温多晶矽薄膜电晶体及其浅掺杂汲极区的制作方法可节省制作成本，并可提升生产效率。