半导体装置

摘要

〔课题〕提供可同时改善IGET的动作及逆导通机能两者特性的半导体装置。〔解决手段〕此半导体装置1A，包括P扩散区域23，与P扩散区域9、11分离形成于N^–磊晶层5的表面层上；N^＋ 散区域25，在P扩散区域23的表面层上由P扩散区域23围绕而形成；第2集极电极19b，设置于N^＋扩散区域25且与第1集极电极19a连接；以及电极27，跨设P扩散区域23及^N–磊晶层5间，构成N^–磊晶层5至P扩散区域23的导电路径。