发明名称 |
藉由原子层沉积于扩散层沉积金属膜的方法及用于其中的有机金属前驱物错合物 |
摘要 |
本发明公开了含有金属和含吸电子基团的配位基的有机金属前驱物错合物。该错合物适合于在全钝化扩散阻隔层上和沉积在扩散阻隔层之上的金属层上经历放热吸附,和在扩散阻隔层和金属层上经历放热还原。该金属优选为铜。也公开了该错合物在原子层沉积法中的应用。 |
申请公布号 |
TW200923119 |
申请公布日期 |
2009.06.01 |
申请号 |
TW097143750 |
申请日期 |
2008.11.12 |
申请人 |
气体产品及化学品股份公司 |
发明人 |
程汉颂;佳格 迪瓦卡;欧迪强 帕洛;柯毕 马纽尔 |
分类号 |
C23C16/18(2006.01);C07C211/65(2006.01);C07C31/28(2006.01);C07F1/08(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/18(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈展俊;林圣富 |
主权项 |
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地址 |
美国 |