发明名称 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND STORAGE DEVICE COMPRISING THE SAME METHOD FOR STORING BAD BLOCK MANAGEMENT INFORMATION INTO THE SAME
摘要 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는, 메모리 관리 정보가 저장되는 제 1 영역과 유저 데이터가 저장되는 제 2 영역을 포함하는 메모리 셀 어레이, 어드레스에 응답하여 상기 제 1 영역 또는 상기 제 2 영역의 행들 중 어느 하나의 행을 선택하는 디코더, 상기 선택된 행에 연결되는 메모리 셀들에 입력된 데이터를 저장하거나, 상기 메모리 셀들에 저장된 데이터를 센싱하는 페이지 버퍼, 그리고 특정 명령어에 응답하여 상기 제 1 영역에 대한 접근을 수행하도록 상기 디코더 및 페이지 버퍼를 포함하되, 상기 메모리 관리 정보는 특정 메모리 단위에 반복적으로 프로그램되며, 서로 다른 특정 메모리 단위들 각각의 서로 다른 열 위치에 상기 메모리 관리 정보가 기입된다.
申请公布号 KR20170012674(A) 申请公布日期 2017.02.03
申请号 KR20150103608 申请日期 2015.07.22
申请人 삼성전자주식회사 发明人 심민수;정진성
分类号 G11C16/06;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
地址