| 摘要 |
[해결수단] 식 (1a) 및/또는 (1b)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 포함하는 베이스 수지, 산발생제 및 유기 용제를 함유하는 레지스트 재료를 기판 상에 도포하여 레지스트막을 형성하고, 가열 처리 후에 고에너지선으로 상기 레지스트막을 노광하고, 가열 처리 후에 알칼리 현상액을 이용하여 미노광부를 용해시키고, 노광부가 용해되지 않는 네거티브형 패턴을 얻는 형성 방법.(식에서, 탄소수의 합계에 관해서, Z가 비환상인 경우, 6≤X+Z+R+R≤12이고, Z가 환상인 경우, 5≤X+Z+R+R≤12, 5≤X+원자단Z+R≤12를 만족하는 것으로 한다.) [효과] 본 발명의 특정 구조의 반복 단위로 이루어지는 고분자 화합물을 베이스 수지로서 이용한 레지스트 재료는, 현상 특성이 우수하고, 고해상이며, 에칭 내성도 우수한 알칼리 현상액에 불용인 네거티브 패턴의 형성이 가능하기 때문에, 매우 유용한 레지스트 재료이다. [대표도] 없음 |
