| 摘要 |
본 발명은, 기판의 한쪽 면측에 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 레지스트 하층막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 규소 함유막을 형성하는 공정, 및 염기성 수용액에 의하여 상기 레지스트 하층막 및 상기 규소 함유막의 각각 적어도 일부를 제거하는 공정을 갖는 패턴 형성 방법이다. 상기 규소 함유막 형성 공정 후, 또한 상기 레지스트 하층막 및 규소 함유막 제거 공정 전에, 상기 규소 함유막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 규소 함유막을 에칭하는 공정을 더 갖는 것이 바람직하다. |
