| 主权项 |
1﹒用以活化含铱触媒之一种方法,该等触媒系因铱成为低活性之大微晶存在而钝化,该方法之特点为使该等触媒在至少摄氏三00度之温度时与存在行体剂计自0至一0%氧之一种含卤素之气体接触,历充分之时间以将该等大微晶转化成为实质上颗粒较小之微晶者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一种方法,再一特点在于该触媒为一种负载在载体上含铱之烃类转化触媒而由于有碳质沉积物存在于其上至少部分已成纯化,该方法再一之特点为有以下初步之步骤:(1)使该触媒在至少摄氏三00度之温度时与一种含氧气体接触历足够之时间而从该触媒上燃烧掉至少一部分之该等碳质沉淀物,(2)使该经燃烧之触媒在升高之温时与一种还原气体,较佳者为氢接触历足够之时间,而将该铱之至少一部分转化成为其金属形式,及然后(3)使该经还原之触媒在至少摄氏三00度之温度时与该存在有以体积计自0至一0%氧之含卤素气体接触者。3﹒根据上述请求专利部份第2项之一种方法,再一特点在于该载体包含有一种耐火性无机氧化物者。4﹒根据上述请求专利部份第3项之一种方法,再一特点在于该载体为矾石者。5﹒根据上述请求专利部份第1项至第4项中任何一项之一种方法,再一特点在于该含铱之触媒另外含有从元素周期表之IB,VIE,,VIIB及VIII所组成之该组内选出之一种金属者。6﹒根据上述请求专利部份第1项至第5项中任何一项之一种方法,再一特点在于该含铱触媒另外含有铂者。7﹒根据上述请求专利部份第1项至第6项中任何一项之一种方法,再一特点在于该含卤素之气体乃含有氯者。8﹒根据上述请求专利部份第1项至第7项中任何一项之一种方法,再一特点在于该含卤素气体包含有氯,并以体积计含有自0至1﹒0%之氧者。9﹒根据上述请求专利部份第1项至第8项中任何一项之一方法,再一特点在于使该被处理之触媒在自摄氏四五0度至五五0度之温度时与该含卤素之气体接触者。10﹒用以活化含铱触媒之一种方法,大体上如以下别参考各实例所述者。 |
