| 主权项 |
1﹒一种格恩效应装置,包括一半导体本体或一导电形式之体部,与有二相间隔之欧姆接触面位于或邻接于该本体或体部之一表面,当加一电位差于该等欧姆接触间时,在该等接触面间可产生自一接触面延伸向该另一接触面之强电场之领域,在该等欧姆接触面间之该装置之该活性范围乃处于该一表面之邻近,使该领域路径本质地平行于该一表面,该装置之特点为该等欧姆接触面之形状乃被造为及被作如此安排,便当一电位差被加于所述之该等接触面时,于该活性范围中可获得一非直线性电位分布。2﹒根据上述请求专利部份第1项之一种格恩效应装置,其特点为该等欧姆接触面之形状乃被造成为及作如此安排,使在该等欧姆接触面间之该方向之该领域路径乃在本质地垂直于在该等欧姆接触面间之该等电场线者。3﹒根据上述请求专利部份第2项之一种格恩效应装置,其特点为该装置包括有一第一欧姆接触面及一第二欧姆接触面,所述该等接触面之该相面对之前缘乃制定该活性范围,构成本质地为一圆之同心圆弧,该第一欧姆接触面之该前缘具有较小之曲率半径。4﹒根据上述请求专利部份第3项之一种格恩效应装置,该装置之特点为该第一欧姆接触面本质地为圆形,且该第二欧姆接触面围绕该第一接触面,并本质地具有圆形的内周界,该接触面间之该装置之活性范围本质地为环状形式者。5﹒根据上述请求专利部份第4项之一种格恩效应装置,该装置之特点为该第二欧姆接触面本质地为环状形式者。6﹒根据上述请求专利部份第3至5项中任何一项之一种格恩效应装置,该装置之特点为该比値且r2/r1乃大于1,3,在其中:R1为该第一欧姆接触面之相面对之前缘部份之半径,及R2为该第二欧姆接触面之相面对之前缘部份之半径。7﹒根据上述请求专利部份第6项之一种格恩效应装置,该装置之特点为该比値R2/r1为大于2者。8﹒根据上述请求专利部份第1项之一种格恩效应装置,该装置特点为该等欧姆接触面乃被造成为及作如此安排,使在该等欧姆接触间之该方向之该领域路径在本质地乃平行于在该等欧姆接触面间之等电场线者。9﹒根据上述请求专利部份第1至8项中任何一项之一种格恩效应装置,该装置之特点为该等欧姆接触面乃扩展于该半导体本体或体部之一平面表面内之各穴洞内者。10﹒根据上述请求专利部份第1至9项中任何一项之一种格恩装置,该装置特点为该平导体本体或体部乃由砷化镓制成者。﹒11﹒根据上述请求专利部份第10项之一种格恩效应 装置,该装置之特点为该半导体体部乃由沉积于一基质上之已定向之砷化镓层所构成者。12﹒根据上述请求专利部份第11项之一种格恩效应装置,该装置特点为该基质为半绝缘之砷化镓者。13﹒根据上述请求专利部份第12项及第9项之一种格恩效应装置,该装置之特性为该欧姆接触而内之该等穴洞乃自该已定向之砷化镓基质之一平面表面扩伸穿过该已定而之砷化镓层者。14﹒一种电路配置,包括根据上述请求专利部份第1至13项中任何一项之一种格恩效应装置,该配置之特点设置有工具用以施用一极性(Polarity)之电位差于该等欧姆接触面之间,如此使该活性范围内之在阴极的电场强于在阳极之电场,且具有足够的电场强度使在阴极,至少在靠近于该等接触面间之极小的间隔形成领域。15﹒根据上述请求专利部份第14项之一种电路配置,其特点为利用一可变电位差加于欧姆接触面间以调协该格恩装置之频率者。16﹒一种榕恩效应装置,本质上如此处参照随附插图中图1至4所叙述者。17﹒一种格恩效应装置,本质上如此处参照随附插图中图5至8中任一插图所放述者。18﹒一种格恩效应装置,本质上如此处参照随附插图中图2及图5至8中任一插图所放述者。 |
