2 ,3 –越硫雄烷之新衍生物之制造法

主权项

1﹒一种制造下式之化合物之制造方法:[式中R代 表一个低级烷基;n代表一个从4至6之整数] ,该制造方法包含使下式之化合物:与下式代表 之环烷酮衍生物反应者式中R及n之意义同以上 之规定;R'代表一个低级烷基。 2﹒根据请求专利部份第1项之制造法,其中反应乃 在酸性接触剂之存在下施行者。 3﹒根据请求专利部份第1项及第2项之制造法,其 中反应乃在啶与对磺酸所成之盐之存在下施 行者。 4﹒根据请求专利部份第1项之制造法,其中反应乃 在0℃至100℃之温度范围施行者。