发明名称 200 /300 HYBRID 200 /300 SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUSES
摘要 일 양태에서, 300 mm 웨이퍼들 상에서의 PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 를 위해 설계된 프로세싱 챔버로 하여금 200 mm 웨이퍼들 상에서 수행되도록 하는 몇몇 장치들이 기술된다. 보다 구체적으로, 200 mm 웨이퍼들을 위해 설계되고 300 mm 웨이퍼 프로세싱 챔버들과 호환가능한 수정된 페데스탈, 캐리어 플레이트, 및 샤워헤드가 기술된다. 수정된 200 mm 장치들을 사용하여 증착된 막들은 수정된 200 mm 장치들이 대체하는 300 mm 디바이스들을 사용하여 증착된 막들과 품질이 비슷하다는 것이 또한 관찰되었다.
申请公布号 KR20160004252(U) 申请公布日期 2016.12.12
申请号 KR20160003017U 申请日期 2016.06.02
申请人 램 리써치 코포레이션 发明人 매드센 에릭 러셀;벤-여민 나루드하 타이;크리스텐센 마이클;칼스러드 크리스 에릭;웨이 조셉 훙-치;호앙 린;덴트 알라스데어
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H01L21/67 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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