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반도체 Fin FET을 제조하기 위한 방법은 기판 위에 핀 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 핀 구조물이 상부 층을 포함하고, 그러한 상부 층의 일부가 격리 절연 층으로부터 노출된다. 더미 게이트 구조물이 핀 구조물의 일부 위에 형성된다. 더미 게이트 구조물이 더미 게이트 전극 층 및 더미 게이트 유전체 층을 포함한다. 소스 및 드레인이 형성된다. 더미 게이트 유전체 층에 의해서 커버된 상부 층이 노출되도록 더미 게이트 전극이 제거된다. 핀 구조물의 상부 층이 제거되어 더미 게이트 유전체 층에 의해서 형성된 함몰부를 만든다. 상부 층의 일부가 함몰부의 하단에 잔류한다. 채널 층이 함몰부 내에 형성된다. 더미 게이트 유전체 층이 제거된다. 게이트 구조물이 채널 층 위에 형성된다. |
