发明名称 |
可调谐SOI激光器 |
摘要 |
一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:具有前端(21)和后端(22)的半导体增益介质(2);以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台(3);其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(31)和第二分布式布拉格反射器(32);至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱;并且其中激光腔的反射镜(10)位于半导体增益介质的后端(22)处。耦合的腔允许经由游标效应改进模式选择性,并且光栅的电光调谐导致ECLD的更快波长调谐。另外的相位调谐元件(53)可以补偿激光器的热波长漂移。 |
申请公布号 |
CN106068586A |
申请公布日期 |
2016.11.02 |
申请号 |
CN201580002672.9 |
申请日期 |
2015.01.19 |
申请人 |
洛克利光子有限公司 |
发明人 |
A.G.里克曼;A.齐尔基 |
分类号 |
H01S5/14(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I;H01S5/12(2006.01)I;H01S3/1055(2006.01)I;H01S3/106(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/14(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
郑冀之;张懿 |
主权项 |
一种波长可调谐绝缘硅(SOI)激光器,包括:激光腔,包括:具有前端和后端的半导体增益介质;以及耦合到半导体增益介质的前端的相位可调谐波导平台;其中相位可调谐波导平台包括第一分布式布拉格反射器(DBR)和第二分布式布拉格反射器(DBR);至少一个分布式布拉格反射器具有梳状反射谱;并且其中激光腔的反射镜位于半导体增益介质的后端处。 |
地址 |
英国威尔特郡 |