| 摘要 |
본 발명은, (a) 세미콘덕터-온-인슐레이터(SeOI; semiconductor-on-insulator) 영역과 벌크 반도체 영역을 포함하는 하이브리드 반도체 기판으로서, 상기 SeOI 영역은 베이스 기판 위에 있는 절연 레이어 및 상기 절연 레이어 위에 있는 SeOI 레이어를 포함하며, 상기 SeOI 영역과 상기 벌크 반도체 영역은 동일한 상기 베이스 기판을 공유하는 상기 하이브리드 반도체 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 SeOI 영역 위로 마스크 레이어를 제공하는 단계; 및 (c) 상기 SeOI 영역에 있는 제1불순물 준위가 상기 마스크 레이어에 들어 있도록, 상기 SeOI 영역과 상기 벌크 반도체 영역을 동시에 도핑하여 제1불순물 준위를 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 반도체 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 이런 제조 방법에 의해, 하이브리드 반도체 기판의 제조 방법에 포함되는 많은 수의 공정 단계를 피할 수 있다. |
