MEMORY TYPE INSULATING GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE,申请号US19770772099-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MEMORY TYPE INSULATING GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号	US4101921(A)	申请公布日期	1978.07.18
申请号	US19770772099	申请日期	1977.02.25
申请人	SONY CORPORATION	发明人	SHIMADA, TAKASHI;INOUE, KENICHI;OHTSU, TAKAJI;MOCHIZUKI, HIDENOBU;YAMAGUCHI, JIRO
分类号	H01L21/8247;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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