发明名称 |
一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池,一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池,包括衬底、多晶硅薄膜,衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层,钝化层表面设有氧化硅薄膜,氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极;上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体层,多晶硅薄膜上设有P‑n结,衬底设置在背面AI电极上;硅晶片的上表面从下至上依次设置有第一EVA层、钢化玻璃层,硅晶片的下表面从上至下依次设置有第二EVA层增加了各层材料之间的结合强度、密封性能,可有效防止漏电,漏水,从而增强晶体硅太阳能电池的性能,延长其使用周期。 |
申请公布号 |
CN106057933A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610696069.1 |
申请日期 |
2016.08.22 |
申请人 |
四川英发太阳能科技有限公司 |
发明人 |
张杰 |
分类号 |
H01L31/04(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/048(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2014.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种防漏电的晶体硅太阳能背接触电池,其特征在于,包括硅晶片7,硅晶片(7)包括衬底(2)、多晶硅薄膜(6),衬底(2)与多晶硅薄膜(6)之间设有钝化层(3),钝化层(3)表面设有氧化硅薄膜(4),氧化硅薄膜(4)与多晶硅薄膜(6)之间设有上电极(5);上电极(5)与多晶硅薄膜(6)之间设有P型硅基体层(8),多晶硅薄膜(6)上设有P‑n结,衬底(2)设置在背面AI电极(1)上;硅晶片(7)的上表面从下至上依次设置有第一EVA层(11)、钢化玻璃层(9),硅晶片(7)的下表面从上至下依次设置有第二EVA层(10),所述钢化玻璃层(9)厚度为2.2mm,所述硅晶片(3)的厚度为0.22mm,第一EVA层(8)的厚度为0.51—0.52mm。 |
地址 |
610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区天威路1号 |