发明名称 |
锗单晶抛光片的清洗方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法,特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法,其特征在于包括以下步骤:(1)SPM清洗:用浓度95%~98%浓硫酸和浓度30%~32%过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液;(2) SOM清洗:将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95%~98%浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中;(3)APM清洗:将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28%~30%氨水、30%~32%过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下,能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物,获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面,达到免清洗(Epi‑ready)的要求。 |
申请公布号 |
CN106057645A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610438124.7 |
申请日期 |
2016.06.20 |
申请人 |
云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
发明人 |
肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;侯振海;囤国超;田东 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 |
代理人 |
和琳 |
主权项 |
锗单晶抛光片的清洗方法,其特征在于包括以下步骤:(1)SPM清洗:用浓度95%~98%浓硫酸和浓度30%~32%过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液,将锗单晶抛光片在清洗液中左右晃动30s,晃动过程中温度保持在80℃~83℃,然后取出抛光片,用去离子水手工冲洗90s;(2) SOM清洗:将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95%~98%浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中,常温下左右晃动20s,然后取出抛光片,用去离子水手工冲洗90s;(3)APM清洗:将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28%~30%氨水、30%~32%过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中左右晃动150s,晃动过程温度保持在0℃~3℃,然后取出抛光片,用去离子水半自动冲洗180s,冲洗完后进行甩干,在强光灯下检查抛光片的表面。 |
地址 |
650000 云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块 |