发明名称 |
一种新型沟槽式势垒肖特基二极管及其生产工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种新型沟槽式势垒肖特基二极管,包括一芯片,芯片的两端分别通过焊料焊接第一引线和第二引线,并通过塑封料将第一引线、芯片和第二引线塑封成一体;所述芯片包括P面和N面,所述P面呈沟槽状,且P面的沟槽状面上设置有一层二氧化硅钝化保护层,所述N面为平面;所述第一引线为平面引线,第二引线为锥面引线;还包括上述二极管的生产工艺。本发明的优点在于:新型沟槽式势垒肖特基二极管的结构巧妙,工艺完善成熟,产品加工生产效率高,产品散热好,功耗低,使用寿命长,环氧树脂从大钉头面注入,反冲进入芯片表面,最大限度降低对芯片的冲击,有效降低注塑应力。 |
申请公布号 |
CN106057913A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610502379.5 |
申请日期 |
2016.06.30 |
申请人 |
南通康比电子有限公司 |
发明人 |
徐柏林;王俊 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
滑春生 |
主权项 |
一种新型沟槽式势垒肖特基二极管,包括一芯片,芯片的两端分别通过焊料焊接第一引线和第二引线,并通过塑封料将第一引线、芯片和第二引线塑封成一体;其特征在于:所述芯片包括P面和N面,所述P面呈沟槽状,且P面的沟槽状面上设置有一层二氧化硅钝化保护层,所述N面为平面;所述第一引线为平面引线,第二引线为锥面引线。 |
地址 |
226500 江苏省南通市如皋市如城镇工业园区兴园路8号 |