发明名称 一种新型沟槽式势垒肖特基二极管及其生产工艺
摘要 本发明涉及一种新型沟槽式势垒肖特基二极管,包括一芯片,芯片的两端分别通过焊料焊接第一引线和第二引线,并通过塑封料将第一引线、芯片和第二引线塑封成一体;所述芯片包括P面和N面,所述P面呈沟槽状,且P面的沟槽状面上设置有一层二氧化硅钝化保护层,所述N面为平面;所述第一引线为平面引线,第二引线为锥面引线;还包括上述二极管的生产工艺。本发明的优点在于:新型沟槽式势垒肖特基二极管的结构巧妙,工艺完善成熟,产品加工生产效率高,产品散热好,功耗低,使用寿命长,环氧树脂从大钉头面注入,反冲进入芯片表面,最大限度降低对芯片的冲击,有效降低注塑应力。
申请公布号 CN106057913A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610502379.5 申请日期 2016.06.30
申请人 南通康比电子有限公司 发明人 徐柏林;王俊
分类号 H01L29/872(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 主分类号 H01L29/872(2006.01)I
代理机构 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人 滑春生
主权项 一种新型沟槽式势垒肖特基二极管,包括一芯片,芯片的两端分别通过焊料焊接第一引线和第二引线,并通过塑封料将第一引线、芯片和第二引线塑封成一体;其特征在于:所述芯片包括P面和N面,所述P面呈沟槽状,且P面的沟槽状面上设置有一层二氧化硅钝化保护层,所述N面为平面;所述第一引线为平面引线,第二引线为锥面引线。
地址 226500 江苏省南通市如皋市如城镇工业园区兴园路8号