发明名称 POLYCRYSTALLINE DAIMOND BADY/SILICON CARBIDE OR SILICON NITRIDE SUBSTRATE COMPOSITE AND PROCESS FOR PREPARING IT
摘要
申请公布号 IL55719(D0) 申请公布日期 1978.12.17
申请号 IL19780055719 申请日期 1978.10.12
申请人 GEC US 发明人
分类号 C22C26/00;B01J3/06;B22F3/15;B22F7/08;B23B27/14;B24D3/08;B24D18/00;C04B35/52;C04B37/00 主分类号 C22C26/00
代理机构 代理人
主权项
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