发明名称 |
シリコン薄膜トランジスタ及び半導体酸化物薄膜トランジスタを有するディスプレイ |
摘要 |
電子デバイスは、基板上に表示ピクセルのアレイを有する、ディスプレイを含み得る。それらの表示ピクセルは、有機発光ダイオード表示ピクセル、又は液晶ディスプレイ内の表示ピクセルとすることができる。有機発光ダイオードディスプレイ内には、半導体酸化物薄膜トランジスタ、シリコン薄膜トランジスタ、及びコンデンサ構造体を含む、ハイブリッド薄膜トランジスタ構造体を形成することができる。コンデンサ構造体は、半導体酸化物薄膜トランジスタに重ね合わせることができる。有機発光ダイオード表示ピクセルは、酸化物トランジスタとシリコントランジスタとの組み合わせを有し得る。液晶ディスプレイ内では、ディスプレイ駆動回路機構は、シリコン薄膜トランジスタ回路機構を含み得るものであり、表示ピクセルは、酸化物薄膜トランジスタに基づき得る。シリコントランジスタゲート及び酸化物トランジスタゲートを形成する際に、単一層又は2つの異なる層のゲート金属を使用することができる。シリコントランジスタは、フローティングゲート構造体に重なり合うゲートを有し得る。 |
申请公布号 |
JP2016534390(A) |
申请公布日期 |
2016.11.04 |
申请号 |
JP20160531955 |
申请日期 |
2014.08.11 |
申请人 |
アップル インコーポレイテッド |
发明人 |
チャン シー チャン;ハン ミン−チン;ユ チェン−ホ;チャン ティン−クオ;ジャムシディ ロウドバリ アッバース;リン シャン−チー;キム キョン−ウク;フアン チュン−ヤオ;リー スー−シエン;チェン ユ−チェン;オオサワ ヒロシ;パク ヨン ベ;グプタ ヴァスダ;リン チン−ウェイ;チェ ジェ ウォン;ツァイ ツン−ティン |
分类号 |
G02F1/1368;G02F1/136;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/50 |
主分类号 |
G02F1/1368 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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