| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de production de silicium de très grande pureté. </P><P>Selon l'invention, on décompose thermiquement du trihalosilane dans une gamme de températures sensiblement de 600 à 800 degrés C pour produire du silicium ultra-pur de qualité semi-conducteur ; l'installation utilisée comporte un réacteur 10, un condenseur 14, un séparateur 16, un raffineur 18, un réservoir tampon 20, un condenseur 22, un séparateur 24, un vaporiseur 26, un réacteur 28, un condenseur 30, un séparateur 32, un filtre au charbon activé 34, un compresseur 36, et un éjecteur de mélange 38. </P><P>L'invention s'applique notamment à l'industrie des semi-conducteurs.</P>
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