| 摘要 |
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 소거 방법은, 반도체 메모리 제조시의 테스트 동작에서 얻어진 프로그램 간섭 결과를 기초로 하여 복수개의 워드라인을 적어도 두 개의 그룹으로 그룹핑하는 단계; 소거 동작을 위해 선택된 메모리 블록의 모든 워드라인에 접지전압을 인가하고, 소거 전압을 인가하여 소거를 실시하는 단계; 및 상기 소거 전압이 인가되는 동안, 설정된 시간 이후에 상기 두 개 이상의 그룹 중 하나의 그룹의 워드라인에 양의 전압을 인가하는 전압 인가 단계를 포함한다. |
