| 摘要 |
Eine dreidimensionale Anordnung von Speicherelementen wird über mehrere Ebenen gebildet, die mit unterschiedlichem Abstand über einem Halbleiter-Substrat positioniert sind. Die Speicherelemente sind jeweils für eine Wortleitung in einer Ebene und eine lokale Bit-Leitung erreichbar. Die dreidimensionale Anordnung beinhaltet eine zweidimensionale Anordnung mit Säulenleitungen durch die mehreren Ebenen. Die Säulenleitungen gehören zu einem ersten Typ, der als lokale Bit-Leitungen fungiert, und einem zweiten Typ, der Zugang zu den Wortleitungen bietet, indem die jeweiligen Speicherelemente so voreingestellt sind, dass sie einen permanent niedrigen Widerstandsstatus zur Verbindung von Säulenleitungen des zweiten Typs und für den exklusiven Zugang zu den jeweiligen Wortleitungen bieten. Eine Anordnung von Metallleitungen im Substrat ist wechselseitig mit den vertikalen Bit-Leitungen verbunden, um Zugang zu den lokalen Bit-Leitungen und den Wortleitungen zu ermöglichen. |
