HIGH PRESSURE PLASMA DEPOSITION OF SILICON

摘要

Du silicium polycristallin (84) est depose sur la surface interieure d'un conteneur de forme (40). Le silicium est depose en faisant reagir de l'hydrogene (31) et un gaz porteur de silicium (30) en presence de plasma a haute pression (22). Le corps de silicium est separe du conteneur a forme par un travail de cisaillement a expansion thermique.