| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPS582074(A) |
申请公布日期 |
1983.01.07 |
| 申请号 |
JP19820102362 |
申请日期 |
1982.06.16 |
| 申请人 |
PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN NV |
发明人 |
DEBITSUDO JIEIMUSU KOE |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
