| 主权项 |
1.Contact mat . 接触蓆垫。2.Composite body . 复合体。3.Carrier part . 载体部份。4.Contact Component . 接触组件。5.Lower mould part . 下模部份。6.Upper mould part . 上模部份。7.Base p;ate of the lowermould part . 下模部份之底板。8.Insulating layer in thelower mouldpart . 下模部份之绝缘层。9.Lower cavity plate . 下铸腔板。10.Base plate of the uppermould part . 上模部份之底板。11.Insulating layer in theupper mould part . 上模部份之绝缘层。12.Upper cavity plate . 上铸腔板。13.Runner in the lower cavityplate . 下铸腔板之流道。14.Ruise . 浮凸。15.Recess .内隙。16.Ridge . 隆起线。17.Pressure balance channel .压力平衡槽。18.Right-hand half of thelower cavity plate . 下铸腔板之右边半体。19.Left-hand half of thelower cavity plate . 下铸腔板之左边半体。20.Right-hand half of theupper cavity plate . 上铸腔板之右边半体。21.Left-hand half of theupper cavity plate .上铸腔板之左边半体。22.Runner in 21 . 21上之流道。23.Runnerin 20 . 20上之流道。24.Cavity . 铸腔。25.Insulating wallbetween theleft-hand and right-handhalves in the lower cavityplate . 下铸腔板上之左边与右边半体间之绝缘壁。26.Stop bolt . 停止螺栓。27.Stop .停止件。28.Guide pillars . 导引柱。29.Central runner inthe lowercavity plate . 下铸腔板上之中央流道。30.orifice in the lower andupper cavity plate . 下及上铸腔板上之孔口。31.Hollow shaft . 中空轴。32.Stump . 残根。制造一种接触蓆垫之方法1.藉注射模制法制造一种接触蓆垫之方法该蓆垫适用于一压键场并包括由一种不导电之弹性材料所制成之薄片形复合体,复合体上至少配置有一载体部份,该载体部份至少于压力施加于一键时可弹性式变形,且系制成一帽罩形状而向一面凸出于复合体之平面上并连接于由一度导电材料所构成之各自相关之接触组件,其特点为接触组件系首先于一注射模中模制而成,注射模主要包括区分为两半之一下模部份及一上模部份,下模部份系处于接触组件之硬化温度以上之一温度 上模部份之一半体(21)则系处于接触组件之硬化温度以下之一温度,其另一特点为,于接触组件业已完全硬化后,下模部份遂以上模部份为准,自第一位置移动至第二位置,其再一特点为复合体及载体部份随后藉下模部份之流道(13)经以一种方式模制,即接触组件坚固地连接于载体部份,下模部份及上模部份之其他半体(20)之温度皆高于复合体暨其载体部份之温度。2.根据上述请求专利部份第1.项所述之制造一种接触蓆垫之方法,其特点为任何所要之弹性料,诸如,例如矽橡胶混合物, 橡胶混合物或氯丁二烯混合物皆可用作复合体及载体部份之非导电材料。3.根据上述请求专利部份第2.项所述之制造一种接触蓆垫之方法,其特点为接触组件及复合体包括相同类型之基本材料,该项材料系藉过氧化物,加成或缩合作用而交联。4.根据上述请求专利部份第1.至3.项中之一项之制造一种接触蓆垫之方法,其特点为导电粒子系额外地掺和于接触组件之基本材料中。5.根据上述请求专利部份第4.项所述之制造一种接触蓆垫之方法,其特点为导电粒子包括石墨,炭黑或一种导电金属,例如银。6.根据上述请求专利部份第2.项所述之制造一种接触蓆垫之方法,其特点为矽橡胶为一种两组件HTV(High-temperature valcanising 即「高温硬化」)矽橡胶。7.根据上述请求专利部份第2.项所述之制造一种接触蓆垫之方法,其特点为矽橡胶为一种两组件液态矽橡胶。 |
