发明名称 液晶显示器的非互补金属氧化物半导体(MOS)驱动器
摘要
申请公布号 TW056580 申请公布日期 1984.02.16
申请号 TW07212941 申请日期 1983.08.26
申请人 通用电机股份有限公司 发明人 约翰 布鲁斯 梅伊;唐纳 文森特 狄马席莫
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种用来操作一液晶显示器之积体电路,此液晶显示器包括数个与一共同背板联合操作之段,此积体电路包括:A.用来连至一个适于场效电晶体(FET)操作之偏压电源的第一与第二端点,第二端点系连至用来供应电源参考电位(Vss)之源极淮流排,第一端点系连至用来供应电源电位(Vdd)之汲极淮流排;B.用来连至显示器的各个段之n层输出端;C.用相同传导极性之第一与第二较大电容FET驱动器,每个FET驱动器具有一个连至一周期性输入讯号之输入端以及一个出现周期波输出之输出端,此输出波系在趋近电源与趋近未负载时之参考电位间转变,每个FET驱动器包含一个输出FET,此输出FET的主电极系连接于该驱动器输出端与该第二电源端之间;一内部驱动器负载系连接于该第一电源端与该驱动器输出端之间;E.第一驱动器的输出端系连至该背板端;F.用来将交流讯号耦合至该第一与第二驱动器的输入之装置,该最后所述耦合至该第一驱动器的讯号的相位系与耦合至该第二驱动器的讯号相位相反,以构成该驱动器之输出端间的交替电位;Q.比该驱动器具有较低电容性之n层FET段开关装置,其乃藉着将每个段与该背板分离与藉着将每个段连至该第二驱动器输出端,来致动每个段;藉着将每个段连至该背板且藉着将每个时段与该第二驱动器输出端分离,来中止致动每个段;该装置将施于活动显示段的直流成分降至最低,且压住任何施于非活动显示段之交流或直流成分。2.依据请求专利部份第1.项所述之液晶显示器的积体电路,其中:A.与该背板的毗邻部分相组合之该段,其乃分别显示以一大値分流电阻分流之小电容,而总集地代表一较大电容,此较大电容亦以大値分流电阻分流;B.成比例地总集性操作该段之第一与第二较高电容驱动器;C.用来连接与分离该段与该第二驱动器之该较低电容段开关装置,该第二驱动器系依比例操作各个段。3.依据请求专利部份第2.项所述之积体电路,其中:与各个段相组合之交换装置乃包括一对FET开关,这对开关的第一个元件系连接于段与该第二驱动阶的输出端之间,第二个元件则连接于该段与该背板之间。4.依据请求专利部份第3.项所述之积体电路,其中该第一与第二EET驱动器系为推挽式乏模驱动器,每个驱动器包括:A.连接于该第一与第二电源端间之第一串联电路,其中:()该输出FET系为第一加强模态FET。─该驱动负载系为第二乏模态FET;B.连接于该第一与第二电源间之第二串联电路,其乃包括:()一个第三加强模态FET,此第三加强模态FET的源极系连至该第二电源端,─一个第四乏模态FET,此第四乏模态FET的汲极系连至该第一电源端,源极与闸极连至该第三装置的汲极,该第一,第二,第三与第四FET系具相同电导极性;C.将该第一FET的闸一源连接点连至该第二FET的闸极之装置,D.让驱动器输入端系连至该第一与第三FET的闸极,以便将该交流讯号耦合至该驱动器。5.依据请求专利部份第4.项所提之积体电路,其中:A.每对交换装置的该第一元件系包括一个第五加强模态FET,此第五加强模态FET的主电极系连接于该第二驱动器的输出端与一段之间;B.每对交换装置的该第二元件系包括一个第六加强模态FET,此第六加强模态FET的主电极系连接于该背板与最后所述段之间,该第五与第六FET系具有相同的电导极性。6.依据请求专利部份第5.项所提之积体电路,还其有:A.用来产生一个二位元段控制讯号之装置,此讯号系依据所需显示功能来设定每个段交换装置。B.用来供应一时钟讯号之装置,此时钟讯号电压的极性与该偏压电源相同,振幅相当,且具有相同与反相成分,其中,C.对每对FET段开閞所提供之倍压控制放大器乃包括:()一个反相器,其乃包括,一个第一主电极连至该第二电源端之第七加强模态FET;一个第八乏模态FET,其系作为该第七FET之电导负载,此第八加强模态FET的第一主电极系连至该第一电源端,第二主电极系连至该第七FET的第二主电极,该第七FET的闸极系连至该控制产生装置,以便转换该第七FET于传导与非传导状态之间;─一个第九乏模态FET,此第九乏模态FET的第一主电极系连至该第七装置的第二主电极,第九乏模态FET的二主电极系连至一FET段开关的闸极;()一个第十可变电容FET,此第十可变电容FET的主电极系互连,此第十可变电容FET的电荷贮存特性使得适当电位被施于该主极与闸极之间,有效电容系与所施电位成正比,其闸极乃被耦合至该第九FET的第二主电极;D.该同相脉冲成分系耦合至该第九FET的闸极,该反相脉冲成分系耦合至该FET电容器的主电极,该组合乃产生对该FET开关之增加闸控讯号,此系表示偏压与脉冲电位之约略增加値。
地址 美国纽约州12305斯克奈塔第斯克塔第河滨路1号