| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de détermination d'une impulsion de tension optimale pour programmer une cellule mémoire flash, ladite impulsion de tension optimale étant définie par une rampe de tension depuis un niveau de tension initial non-nul pendant une durée de programmation. Le procédé comprend les étapes suivantes : - fournir un jeu de paramètres comprenant une valeur cible de fenêtre de programmation et une valeur cible de courant de drain de la cellule mémoire ; - mesurer dynamiquement le courant de drain de la cellule mémoire lorsqu'une impulsion de tension de forme rectangulaire est appliquée sur la grille de contrôle ; - prévoir un transistor équivalent à la cellule mémoire, de sorte que le courant de drain du transistor est égal au courant de drain de la cellule mémoire lorsque l'électrode de grille du transistor est portée à un potentiel égal au potentiel de la grille flottante de la cellule mémoire ; - mesurer dynamiquement le courant de drain du transistor en fonction du potentiel de l'électrode de grille du transistor ; - déterminer le potentiel de la grille flottante lors de l'impulsion de tension de forme rectangulaire, à partir de la mesure du courant de drain de la cellule mémoire et de la mesure du courant de drain du transistor ; - déterminer, respectivement à partir de la valeur cible de courant de drain, du potentiel de la grille flottante lors de l'impulsion de tension de forme rectangulaire et de la valeur cible de fenêtre de programmation, le niveau de tension initial, la pente de la rampe de tension et la durée de programmation, de sorte que le courant de drain de la cellule mémoire pendant l'impulsion de tension optimale soit sensiblement égal à la valeur cible de courant de drain. |
