| 主权项 |
1.处理在载体上之多金属含铂触媒之方 法,其中使触媒在不超过649℃升高 温度时与含氧气体接触(其中氧之浓 度为全部处理用气体之0.2至7莫耳 %),继以第一还原步骤,随后在升 高温以氯处理,继以第二还原步骤, 该方法之特点为使触媒在204℃- 593℃之温度下经氢或含氢气体之还 原剂作第一还原处理以后或其同时无 氧或氧之来源时用乾燥之卤化氢在 204℃至593℃之温度下处理(其中 卤化氢之量为触媒重量之0.1-5% ,及无氧及氧之来源时(如惰性气体 )在454℃-593℃之温度下处理过 之触媒接触,其后使触媒在204- 593℃之温度经氢或含氢气体之还原 剂作第二次还原。2.根据上述请求专利部份第1.项 之方法 ,在其中卤化氢为氯化氢者。3.根据上述请求专利 部份第2.项之方法 ,在其中触媒为含铂及含铱之触媒者 。4.根据上述请求专利部份第1项至第3. 项中任何一项之方法,在其中触媒系 由于含碳物质之沉积而至少部分钝化 者。5.根据上述请求专利部份第1项之方法 ,在其中乾燥氯化氢系以惰性气体掺 混者。6.根据上述请求专利部份第5.项之方法 ,在其中惰性气体为氮气者。7.根据上述请求专利 部份第1项之方法 ,在其中含铂触媒又含有铼者。8.根据上述请求专 利部份第7.项之方法 ,在其中该触媒系在第一还原步骤以 前用含氯之成分及氧之混合物在260 ℃-538℃处现,且其中氧之数量为 0.2至7克分子%而含氯成份之数量 为触媒重量之0.1-5%。9.根据上述请求专利部份第8. 项之方法 ,在其中含氯之成分为氯化氢者。10.根据上述请求 专利部份第8.项之方法 ,在其中含氯之成分为氯者。11.根据上述请求专利 部份第8.项至第10. 项中任何一项之方法,在其中惰性气 体亦被使用者。12.根据上述请求专利部份第11.项 之方法 ,在其中惰性气体为氮者。 |
