| 摘要 |
Un procédé permettant de former des couches conductrices multiples d'interconnexion (14, 50) sur un dispositif à semi-conducteurs (10) consiste à définir une première couche métallique conductrice (14), à y appliquer une première couche isolante (22), à aplanir la première couche isolante (22) en éliminant par gravure une couche perdue d'aplanissage (27), à appliquer une deuxième couche isolante (36), à aménager des passages (40) au travers de la première et de la deuxième couches isolantes (22, 36) et à y appliquer une deuxième couche conductrice (50). Une troisième couche isolante (44) peut éventuellement être appliquée sur les deux premières (22, 36) et des passages en gradins (47) peuvent être aménagés pour améliorer l'interconnexion entre la première et la deuxième couches (14, 50). Ce procédé permet de réduire les défauts de métallisation dus aux irrégularités dans les couches isolantes intermédiaires (22, 36, 44). |
