| 主权项 |
1.一种蒸气态淀积掺杂剂载子,包含由含有Sic,元素矽及其混合物组成之族中选出之化合物至少占90%。2.根据上述请求冉利部份第1.项之载子,其中所述之化合物为Sic。3.根据上述请求专利部份第1.项之载子,其中所述之化合物为元素矽。4.根据上述请求专利部份第1.项之载子,另含有由氧化矽、氮化矽、矽酸组成之族中选出之一个化合物。5.根据上述请求专利部份第1.项之载子,其形状为一个薄饼状物。6.一种掺杂剂来源,供于升温下蒸气相输送掺杂剂,该来源包含一种载子及一种掺杂剂;此载子含有某种化合物达至少90%,此化合物系由Sic,元素矽及其混合物组成之族中选择而得者。7.根据上述请求专利部份第6.项之掺杂剂来源,其中所述之掺杂剂含有一种由下列族中选出之元素,此元素族包括磷、砷、锑、硼、镓、铝、锌、矽、碲、锡及镉 。8.根据上述请求专利部份第7.项之掺杂剂来源,其中所述之掺杂用保由磷、砷、硼中选出者。9.根据上述请求专利部份第8.项之掺杂剂来源,其中所述之化合物为Sic。10.形成一种多孔、耐火、蒸气淀机积之掺杂剂载子之方法,此载子包含Sic、元素矽及其混合物组成之族中至少一种之化合物;本法包含利用加热至约700一2500℃之间,使其熔结以得一种固态多孔耐火之结构。11.根据上述请求专利部份第10.项之方法,其中所加入之化合物系由氧化矽、氮化矽、矽酸组成之族中选出之一种。12.形成一种蒸气淀积掺杂剂之方法,包含使用根据上述请求专利部份第1.项之一种蒸气淀积掺杂剂载子,此种掺杂剂含有由下列元素族中选出之一个元素:此元素族含有磷、砷、锑、硼、锡、铝、锌、矽、碲、锡及镉。13.根据上述请求专利部份第12.项之方法,其中所述之载子尚含有由氧化矽、氮化矽、及矽酸组成之族中选出之一种化合物。14.一种掺杂一种半导体元件之方法,此方法包含于该半导体元件之主要基质存在之状况下,加热前述请求专利部份第6.项之蒸气淀积来源。15.根据上述请求专利部份第14.项之方法,其中所述加热温度约由500℃至约1400℃。 |
