发明名称 半导体雷射(二)
摘要
申请公布号 TW067805 申请公布日期 1985.06.16
申请号 TW07213299 申请日期 1983.09.24
申请人 苏妮股份有限公司 发明人
分类号 H01S3/85 主分类号 H01S3/85
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 一种半导体雷射,系在活性层形成条纹状之发光领域,在该发光领域之光端面部,以相当于该发光领域之宽度范围配设活性层之弯折部,而在该发光领域之中央部,该活性层之宽度较上述发光领域之宽度宽很多。
地址 日本