| 主权项 |
1.一种光检波器(光侦测器)含有(1)一个晶片基座(基座)(substrate)内包含有半导体之元件以及(2)一个光元件在电磁波之激发之下可产生电流,其特征为:含有矽;所述之光元件含有锗(germanium)为主之p一i一n型二极体,里面包括一木质区(intri-nsic ragion),一个P型区,以及一个n型区,以电气以及物理方式以一层中间层(intermediary region)接在基座之上,所述之中间层可以限制住晶格中之锗排平均距离而使其大于1OOnm 以上。2.依请求专利部份第1.项中之元件,其特征为:所述之中间层内包含梯度材料(gra-ded material)内含有锗和矽。3.依请求专利部份第2.项中之元件,其特征为:所述之梯度之变化,由与基座相连接之完全合矽之部份一直到与所述之p一i一n二极体所接之完全合锗之区域。4.依请求专利部份第1.或2.或3.项中之元件,其特征为所述之中间层以及所述之p一i一n 二极体系由分子束磊晶法(molecular beam epitaxy)。5.依请求专利部份第1.或2.或3.或4.项中之元件,其特征为:﹒所述之中间层之自由载子之浓度大于l018cm-3。 |
