| 主权项 |
1.多层障壁层电容器之制法,包括:形成烧结陶瓷体,具有半导性陶瓷组成物粒状矩阵,且内有复数隔开空腔,延伸至陶瓷体一对边缘区之一,隔排空腔延伸至同样边缘区;将形成空腔表面之那些半导性颗粒各至少一部份,转变成绝缘材料,以形成障壁层结构;然后,将电极金属导入空腔内者。2.如请求专利部份第1.项之方法,其中,烧结陶瓷体之形成步骤包括:形成具有密实,较无胞孔之结构体,而转变步骤包括:在空腔内导进氧化氛围,并在充分高的温度加热于结构体,使接近空腔表面之颗粒至少表面部份氧化者。3.如请求专利部份第1.项之方法,其中,该烧结陶瓷体之形成步骤包括:形成具有密实,较无胞孔之结构体,而转变步骤包括:在该空腔内导进P型掺杂物,并在氧化氛围内将结构体加热至充分高温,使掺杂物可扩散入至少形成该空腔表面之颗粒内者。4.如请求专利部份第1.项之方法,其中,烧结陶瓷体之形成步骤包括:形成具有透气性结构之本体,而转变步骤包括:在本体空腔和颗粒界面内导进P型掺杂物,连同助熔剂,以确保掺杂物渗透贯穿本体之颗粒界面,并将本体在氧化氛围内加热至充分高温,使掺杂物扩散入该颗粒界面内者。5.如请求专利部份第1.至4.项中任何一项之方法,其中,陶瓷组成物系选自包含钛酸钡和钛酸锶,组成物含有充分量之n 型掺杂物,使其具半导性者。6.多层障壁层电容器之形成方法,包括:提供以短效性粘合剂粘合之细粉陶瓷介质组成物的复数薄片,组成物在烧结温度燃烧时形成密实层,将复数薄片重叠,在各对重叠片材间,提供以短效性粘合剂粘合之第二陶瓷组成物,第二组成物在烧结温度燃烧时展现空腔,诸层之配置使隔邻薄膜延伸至薄片二不同边缘部之一,并与另一边缘部隔开;自重叠片材堆形成粘合之自持性本体,加热于自持性本体,以清除该短效性粘合;于烧结温度燃烧自特性本体,以制成单石体,具有密实半导性陶瓷组成物,其中间有空腔;将空腔形成表面之半导性颗粒至少表面部份,转变成绝缘材料,以形成障壁层结构,然后将电极金属导入空腔内者。7.如请求专利部份第6项之方法,其中,第二陶瓷组成物之薄膜包括碳粒,且其中燃烧步骤包括:将自特性本体在烧结温度,于氧气内加热,将碳粒氧化,并形成气体,开始将陶瓷材料转变成半导性材料,然后将本体于还原氛围内在烧结温度加热,进一步增进陶瓷材料之半导系数者。8.如请求专利部份第7.项之方法,其中,燃烧步骤产生较无胞孔结构,而转变步骤包括降低本体温度,自烧结温度至900-1000℃间之温度,并调节本体于氧化氛围者。9.如请求专利部份第7.项之方法,其中,燃烧步骤产生较无胞孔结构,而转变步骤包括将P型掺杂物导进空腔内,将本体在氧化氛围内加热至充分高温,使掺杂物扩散入至少形成空腔表面之颗粒内者。10.如请求专利部份第7.项之方法,其中,燃烧步骤产生烧结陶瓷本体,具有透气性结构,而转变步骤包括在空腔和本体之颗粒界面内,导进P型掺杂物,连同助熔剂,以确保掺杂物渗透贯穿本体之颗粒界面,并将本体在氧氛围内加热至充分高温,使掺杂物扩散入颗粒界面内者。 |
