| 主权项 |
1 .测试积体电路之装置,包括第一平面支持装置,具有一第一子穿过其中;多个第一连接件装置,固定于该第一支持装置及伸展穿过其中,于此等连接件装置中该等第一连接件装置绕该第一孔周边配置;第二平面支持装置,实质上与该﹒第一支持装置平行及与其相间隔,该第二支持装置具有一第二孔穿过其中,此孔与该第一孔同心;多个第二连接件装置,固定于该第二支持装置及绕该第二孔周边配置用以连接至该第一连接件装置;多个探针支座装置,固定于该第二支持装置及绕该第二孔周边配置用以连接至该第一连接件装置;多个探针支座装置,固定于该第二支持装置表面上之该第二孔周边处及自此孔径向向内伸展;多个探针装置,每一探针固定于该等多个探针支座装置之一之上及以其一端连接至该等多値第二连接件装置之一,每一探针装置之另一端穿过该第二孔伸展以形成预定之探针装置构形。2 .如请求专利部份第1.项所述之装置,另外包括固定于该第一支持装置之装置,用以以选择性方式将第一测试信号耦合至经选择之第一连接件装置。3 .如请求专利部份第2.项所述之装置,另外包括装置用以连续将每一积体电路模定位于半导体晶片上,俾此晶片之输入及输出与该等多个探针装置相接触。4 .如请求专利部份第3.项所述之装置,其中该定位装置包括用以控制该半导体晶片温度之装置。5 .如请求专利部份第4.项所述之装置,另外包括:第三平面支持装置,具有与该第一及第二孔同心之一第三孔穿过其中,该第三支持装置与该第一支持装置之表面相隔离及位于该第二支持装置之对面;多个第三连接件装置,固定于该第三支持装置及绕该第三孔周边配置,用以与该等多个第一连接件装置相连接;用以将第二测试信号以选择方式耦合至经选定之第三连接件装置。6 .如请求专利部份第5.项所述之装置,其中该第第一测试信号包括稳态逻辑信号及该等第二测试信号包括高速动态逻辑信号。7 .如请求专利部份第6.项所述之装置,其中该第一及第三平面支持装置系固定于一硬性之安装装置上,此安装装置实质上系绕此二平面支持装置整个周边伸展。8 .一种测试积体电路之装置,包括:第一平面支持装置,具有位于中央及自其中穿过之第一孔及包括固定于其上部及下部表面之多个第一连接件装置,该第一连接件装置位于该第一孔之周边处;第二平面支持装置,具有与该第一支持装置之下部表面相间隔之一上部表面及具有位于中央位置及与该第一孔同心之一第二孔,该第二平面支持装置包括多个第二连接件装置,此等第二连接件装置固定于第二平面支持装置之上部表面及位于该第二孔之周边,于此第二平面支持装置中该等第二连接件装置以可拆卸方式连接至固定于该第一支持装置之下部表面之该等第一连接件装置;多个探针座装置,固定于该第二支持装置之上部表面上之该第二孔之周边处及自此周边向内径向伸展;多个探针装置,分别固定于该等多个探针座装置中之一个,每一此等探针装置之一端连接至该等多个第二连接件装置中之一个,每一此等探针装置之另一端穿过该第二孔伸展于该第二支持装置之下部表面以形成预定探针装置构型;连续将每一积体电路模定位于半导体晶片上之装置,俾晶片之输入及输出与该等多个探针装置相接触。9 .如请求专利部份第8.项所述之装置,其中该定位装置包括用以控制该半导晶片温度之装置。10 .如请求专利部份第9.项所述之装置,包括固定于该第一支持装置之装置,.用以以选择方式将第一测试信号耦合至经选定之第一连接件装置。11 .如请求专利部份第10.项所述之装置,另外包括第三平面支持装置,此支持装置之中央位置有一第三孔穿过,此孔与第一及第二孔同心,该第三支持装置与该第一支持装置之上部表面相间隔及包括多个固定于其上部及下部表面之第三连接件装置,于此第三平面支持装置中,让等第三连接件装置位于该第三孔周边,该等下部表面第三连接件装置连接至该等上部表面第二连接件装置。12 .如请求专利部份第11.项所述之装置,另外包括固定于该第三支持装置之装置,用以以选择方式将第二测试信号耦合至经选择之第三连接件装置。13 .如请求专利部份第12.项所述之装置,其中该等第一测试信号包括稳态逻辑信号及该等第二测试信号包括高速动态逻辑信号及该等第二测试信号包括高速动态逻辑信号:14 .如请求专利部份第13.项所述之装置,其中该第二测试信号耦合装置包括耦合至每一该等第三连接装置之隔离放大器装置。15 .如请求专利部份第14.项所述之装置,其中该第二支持装置,该探针座装置,及该探针装置系由低温热膨胀系数材料制成。16 .如请求专利部份第15.项所述之装置,其中每一该等第二支持装置系由聚亚胺材料制成。17 .如请求专利部份第16.项所述之装置,其中该探针座装置系由陶瓷制成。18 .如请求专利部份第17.所述之装置,其中该探针装置俟由钨或钨合金制成。 |
