发明名称 |
用于制造半导体器件的方法和半导体器件 |
摘要 |
提出一种用于制造多个半导体器件(1)的方法,所述方法具有如下步骤:a)提供半导体层序列(2),所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域(25),所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射;b)在第二半导体层的背离第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31);c)构成多个穿过半导体层序列的留空部(29);d)在留空部中构成传导层(4)用于在第一半导体层和第一连接层之间建立导电连接;和e)分割成多个半导体器件,其中从半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20),所述半导体本体具有多个留空部中的至少一个留空部,并且该至少一个留空部在半导体本体的俯视图中完全地由半导体本体包围。此外,提出一种半导体器件。 |
申请公布号 |
CN106062976A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201580009283.9 |
申请日期 |
2015.02.17 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
诺温·文马尔姆;亚历山大·F·普福伊费尔;坦森·瓦尔盖斯;菲利普·克罗伊特尔 |
分类号 |
H01L33/38(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/38(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
丁永凡;张春水 |
主权项 |
一种用于制造多个半导体器件(1)的方法,所述方法具有如下步骤:a)提供半导体层序列(2),所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源区域(25),所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射;b)在所述第二半导体层的、背离所述第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31);c)构成多个穿过所述半导体层序列的留空部(29);d)在所述留空部中构成传导层(4),所述传导层用于在所述第一半导体层和所述第一连接层之间建立导电连接;和e)分割成多个半导体器件,其中从所述半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20),所述半导体本体具有多个所述留空部中的至少一个留空部,并且该至少一个留空部在所述半导体本体的俯视图中完全地由所述半导体本体包围。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |