发明名称 非投映式感测器阵列
摘要
申请公布号 TW074614 申请公布日期 1986.02.01
申请号 TW074206771 申请日期 1984.11.23
申请人 洪尼维尔有限公司 发明人
分类号 H01L31/09 主分类号 H01L31/09
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.在一个热辐射图像系统中包含有探测装置及用以把热辐射影像横扫过所述探测装置的扫描装置。辐射探测器含有:A.光导性的半导体材料的长条片,在所述辐射影像沿所述条片被扫描时会产生电子及空穴光载子。B.用以供应纵向流经所述条片的偏压电流而在所述条片中产生光载子的极间漂移的装置。光载子的漂移速度和方向分别与所述条片的扫描速度及方向大致配合。C.在靠近所述条片的一端连接有第一及第二读出电极。所述条片有一作用长度及所述读出电极相隔开因此在少于所述半导体材料的平均电子空穴复合时间内只有少数在所述漂移中的光载子经过在所述读出电极间的所述分隔;在此其改良包括有。D.用以供应第二偏压电流的装置,因此在所述条片的所述读出电极间的所述光载子的漂移是大于流经所述条片的所述作用长度的所述光载子的漂移。2.在请求专利部份第1.项中的探测器更包含有用以防止所述辐射影像在所述条片上的所述读出电极间的区域中被扫描到的装置。3.在请求专利部份第2.项中的探测器中用以防卫的装置是掩光罩。4.在请求专利部份第3.项中的探测器中连同保卫用的所述装置的所述条片的长度包括所述作用长度。此长度比没有连同保卫用的所述装置的所述条片的所述作用长度更长。5.在请求专利部份第4.项中的探测器中的所述作用长度的差异大致等于所述读出电极间的距离。6.在请求专利部份第1.项中的探测器中的所述半导体材料包括硝化汞镉。7.探测器包含:A.光导性的半导体材料的长条片,当影像沿所述条片移动时产生电子及空穴光载子,所述条片有一作用区域及一读出区域,两区域在第一读出电极处连接,而所述读出区域的另一端偶接到第二读出电极。B.用以供应流经所述条片的所述作用区域的第一偏压电流而在所述条片中产生光载子的极间漂移的装置,光载子的速度与沿所述条片移勤的所述影像的速度大致配来。C.用以供应流经所述条片的所述扩出区域的第二偏压电流的装置,因此在所述条片的读出区城中的所述光载子的漂移速度大于在所述条片中的所述作用区域中的所述光载子的碟移速度。D.连接在所述第一及第二读出电极间用以供应表示所述影像的讯号输出的装置。8.在请求专利部份第7.项中的探测器更包括用以防止所述辐射影像在所述条片上的所述馈出电极间的区域中被扫描到的装置。9.在讲求专利部份第8.项中的探测器中的用以保卫的所述装置是掩光罩。10.在请求专利部仍第9.项中的探测器中连同保卫用的所述装置的所述条片的长度包括所述佳用反度,此长度比没有连同保卫用的所述装置的所述条片的所述作用长度更长。11.在请求专利都份第7.项中的探测器中的所述第一及第二读出电极分隔开,因此在少于所述半导体材料的平均电子空穴复合时间之内只有少数的在所述漂移中的光载子经过所述分隔。
地址 美国