| 发明名称 |
PROCESS FOR MANUFACTURING A PLANAR FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING A SUPPLEMENTARY BURIED GATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0091342(B1) |
申请公布日期 |
1986.02.26 |
| 申请号 |
EP19830400604 |
申请日期 |
1983.03.23 |
| 申请人 |
THOMSON-CSF |
发明人 |
JAY, PAUL ROBERT;RUMELHARD, CHRISTIAN |
| 分类号 |
H01L29/80;H01L21/027;H01L21/338;H01L29/423;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/60;H01L29/64;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L29/80 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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