发明名称 |
DISPOSITIF ELECTRONIQUE INTEGRE A TROIS BORNES, ET PROCEDE POUR SA FABRICATION |
摘要 |
<P>LE COURANT DE SORTIE DU DISPOSITIF INTEGRE A TROIS BORNES S'ANNULE LORSQUE LA TENSION APPLIQUEE DE L'EXTERIEUR A DEUX DE CES BORNES EXCEDE UNE VALEUR DONNEE. LE DISPOSITIF PEUT ETRE UTILISE EN PARTICULIER COMME CIRCUIT INITIATEUR POUR DES REGULATEURS DE TENSION ET OCCUPE UNE SURFACE REDUITE. LE DISPOSITIF COMPREND ESSENTIELLEMENT UN TRANSISTOR BIPOLAIRE 1 ET UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP 2 INTEGRES DE FACON QUE LA BASE B DU TRANSISTOR BIPOLAIRE SOIT COMMUNE AVEC LA SOURCE S DU TEC ET QUE LE COLLECTEUR C DU TRANSISTOR BIPOLAIRE SOIT COMMUN AVEC LA GRILLE G DU TEC.</P>
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申请公布号 |
FR2572585(A1) |
申请公布日期 |
1986.05.02 |
申请号 |
FR19850015681 |
申请日期 |
1985.10.22 |
申请人 |
SGS MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
FRANCO BERTOTTI, SANDRO STORTI ET FLAVIO VILLA;STORTI SANDRO;VILLA FLAVIO |
分类号 |
H01L21/761;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/07;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/761 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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