| 主权项 |
1.用于阴极射线管之多电子束电子枪包括多个阴极总成及具有供多个电子束通过之各对准贯穿之至少之成间隔顺序电极,各阴极总成及各电极被一共同陶质元件固定于位置中,陶质元件具有第一主表面及相反之第二主表面,每一主表面之至少一部份上设制有一金属化模型,各电极连接于第一主表面及各阴极总成连接于第二主表面;其中之创新为第一过渡元件连接于陶质元件之第一主表面上之金属化模型,第一过渡元件包括减少应力装置,及各电极申之至少一个连接于过渡元件。2.根据上述请求专利部份第1.项之枪,在其中,第一过渡元件包括至少一个电极接触部份及藉至少一个弱化桥接区连接于电极接触部份之一可取除框架部份。3.根据上述请求专利部份第2.项之枪,在其中,第一过渡元件位于第一主表面上之金属化模型与各电极中之二电极之间,因而该二电极被连接于过渡元件之各电极接触部份并藉在弱化桥接区取除框架元件而互相成电隔离。4.根据上述请求专利部份第1.项之枪,在其中,第二过渡元件连接于第二主表面上之金属化模型,第二过渡元件包括减少应力装置,及第二过渡元件位于金属化模型与各阴极总成之间。5.根据上述请求专利部份第4.项之枪,在其中,第二过渡元件包括多个阴极总成接触部份及藉多个弱化桥接区连接于各阴极总成接触部份之一可取除框架部份,每一阴极总成连接于一不同阴极总成接触部份并藉在各弱化桥接区取除框架元件而互相成电隔离。6.根据上述请求专利部份第4.项之枪,在其中,第一过渡元件及第二过渡元件之减少应力装置包括制成符合设制在第一与第二主表面上之各金属化模型之构型之各实质上扁平板。7.根据上述请求专利部份第6.项之枪,在其中,第一过渡元件及第二过渡元件包括面对面结合之二层金属而构成一种双金属,一层金属具有低于另一层金属之一熔点。8.根据上述请决专利部份第7.项之枪,在其中,具有较低熔点之金属层包括铜。9.根据上述请求专利部份第8.项之枪,在其中,另一层金属包括42﹪镍及58﹪铁之镍一铁合金。10.根据上述请求专利部份第.项之枪,在其中,减少应力装置进一步包括厚度不大于陶质元件之厚度之约20﹪之镍-铁合金层。11.装配用于阴极射线管之多电子束电子枪之方法,电子枪包括被一陶质元件固定于位置中之多个阴极总成及至少一个成间隔电极,及陶质元件上具有一金属化模型;方法之步骤包括:(a)将一过渡元件放置在陶质元件之一主表面上,过渡元件包括面对面结合之二金属层,一金属层之熔点低于另一金属层,及具有较低熔点之金属层邻接主表面,(b)将过渡元件之各部份对准金属化模型;(c)将陶质元件及对准之过渡元件加热至足以熔解具有较低熔点之金属层之一湿度,以使过渡元件连接于陶质元件之主表面;(d)冷却其上连接有过渡元件之陶质元件至室温;及(e)取除过渡元件在各弱化桥接区之各部份,以提供多个成电隔离电接触部份。12.装配用于阴极射线管之多电子束电子枪之方法。电子枪包括分别被一共同陶质元件固定于位置中之多个阴极总成及至少二成间隔顺序电极,每一阴极总成包括一阴极环圈,位于环圈内之一阴极套筒,套筒之前端被一帽封闭,位于阴极套筒内之一阴极加热器及连接于加热器之一对加热器条;各电极包括一控制栅及一帘栅,每一栅具有多个贯穿电子束形成孔,陶质元件具有第一主表面及相反之第二主表面,每一主表面之至少一部份上设制有一金属化模型;构型符合第一主表面上之金属化模型之第一过渡元件,第一过渡元件包括多値电极接触部份及藉至少一个弱化桥接区连接于各电极接触部份之一可取除框架部份;构型符合第二主表面上之金属化模型之第二过渡元件,第二过渡元件包括多对阴极总成接触部份及藉多个弱化桥接区连接于各阴极总成接触部份之一可取除框架部份;第一及第二过渡元件面对面结合之二层金属而构成一种双金属,一层金属具有较另一层金属为低之熔点。方法之步骤包括:(a)将第一过渡元件放置在陶质元件之第一主表面上,使具有较低熔点之金属层邻接第一主表面;(b)将第二过渡 元件放置在陶质元件之第二主表面上,使具有较低熔点之金属层邻接第二主表面;(c)使第一过渡元件之各电极接触部份对准第一主表面上之金属化模型;(d)使第二过渡元件之各阴极总成接触部份对准第二主表面上之金属化模型;(e)将陶质元件与对准之第一及第二过渡元件加热至足以熔解具有较低熔点之层之一温度,以将第一及第二过渡元件分别连接于陶质元件之第一及第二主表面;(f)冷却其上连接有第一及第二过渡元件之陶质元件至室温;(g)自第一及第二过渡元件取除在各弱化桥接区之各框架部份,以提供多个成电隔离电接触部份及阴极总成接触部份;(h)将每一阴极总成之阴极环圈对准连接于陶质元件之第二主表面之不同之一对阴极总成接触部份;(i)将每一阴极环圈熔接于相关之一对阴极总成接触部份;(j)将控制栅对准连接于陶质元件之第一主表面之多个电极接触部份中之二个;(k)将控制栅熔接于各电极接触部份;(l)将帘栅上之各电子束形成孔对准控制栅上之各电子束形成孔;及(m)将帘栅熔接于陶质元件之第一表面上之二不同电极接触部份,以使帘栅与控制栅成电隔离。13.根据上述请求专利部份第11.项之方法,在其中,各熔接步骤包括防止各栅变形之雷射熔接方法。 |
