Method of producing a refractory metal silicide layer on a substrate, possibly with an insulating layer, especially used for making integrated-circuit interconnection layers.

摘要

L'invention a pour objet un procédé de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de métal réfractaire, utilisable notamment pour la réalisation de couches d'interconnexion des circuits intégrés. Ce procédé consiste à déposer successivement sur le substrat une première couche de silicium amorphe hydrogéné, une deuxième couche de métal réfractaire amorphe hydrogéné par exemple de tungstène, de titane, de molybdène ou de tantale, et une troisième couche de silicium amorphe hydrogéné, et à soumettre le substrat ainsi revêtu à un traitement de recuit effectué à une température supérieure ou égale à 350°C en atmosphère d'hydrogène. De préférence, après dépôt des trois couches, on soumet le substrat revêtu à une implantation ionique en utilisant par exemple des ions tungstène pour créer des défauts dans les couches, ce qui permet d'accélérer ensuite la formation de la couche de siliciure de métal réfractaire lors de l'étape de recuit.